Gezieltes Defekt-Engineering mit hochenergetischer Elektronenbestrahlung
Im Bereich des Defekt-Engineerings spielt die Elektronenbestrahlung eine entscheidende Rolle zur gezielten Erzeugung von Materialdefekten. Hochenergetischen Elektronen (Energie: 10 MeV) induzieren bei der Wechselwirkung mit den Gitteratomen präzise Fehlstellen und Zwischengitteratome. Dank der hohen Energien treten diese Effekte kaskadenartig auf, was eine effiziente und tiefgreifende Modifikation der Materialstruktur ermöglicht. Diese Methode ist fundamental für die Optimierung von Eigenschaften in Leistungshalbleitern und anderen Hochtechnologie-Materialien.







