Bewährte Prozesse für vielfältige Anwendungen

Für die gezielte Modifikation von Halbleitern, Werkstoffen und funktionalen Oberflächen bieten wir Standard-Ionenimplantationen im Energiebereich von 30 keV bis 500 keV an. Bearbeitet werden können sowohl Wafer bis 200 mm als auch Laborproben, Einzelchips und Bauteile mit Sondergeometrien.

Das Verfahren eignet sich für Anwendungen in Forschung und Entwicklung ebenso wie für industrielle Prozesse. Abhängig von Ionensorte, Substrat und gewünschtem Ergebnis werden die Implantationsparameter individuell auf die jeweilige Anwendung abgestimmt.

HZDR Innovation Standard-Ionenimplantation

Energien und Implantationsdosen

Der verfügbare Energiebereich reicht von 30 keV bis 500 keV. Typische Fluenzen liegen zwischen etwa 1E10 cm⁻² und 1E16 cm⁻².

Auch abweichende Prozessparameter können technisch geprüft werden. Bei Fluenzen oberhalb von etwa 1E16 cm⁻² ist insbesondere die Wirtschaftlichkeit des Prozesses zu berücksichtigen, sodass solche Anforderungen individuell bewertet werden.

Große Auswahl an Ionensorten

Je nach Anwendung können zahlreiche Elemente implantiert werden. Zu den typischen Ionensorten gehören unter anderem:
H, He, B, P, N, C, Al, Mg, Ar, Xe, Kr, As, Te und Er.

Darüber hinaus sind viele weitere Elemente des Periodensystems grundsätzlich möglich. Die konkrete Machbarkeit hängt von der gewünschten Ionensorte und den jeweiligen Prozessparametern ab und wird vorab technisch geprüft.

HÄUFIG GESTELLTE FRAGEN (FAQ)

Welche Standard-Ionenimplantation bieten Sie an?

Wir bieten Standard-Ionenimplantation im Energiebereich von 30 keV bis 500 keV an.

Welche Ionensorten können implantiert werden?

Wir können eine große Auswahl an Ionensorten implantieren, darunter H, He, B, P, N, C, Al, Mg, Ar, Xe, Kr, As, Te und Er. Auch weitere Elemente des Periodensystems sind grundsätzlich möglich. Die technische Machbarkeit prüfen wir individuell für Ihre Anwendung.

Welche Implantationsdosen sind möglich?

Typische Fluenzen liegen im Bereich von etwa 1E10 cm⁻² bis 1E16 cm⁻². Abweichende Anforderungen können individuell geprüft werden. Bei besonders hohen Fluenzen berücksichtigen wir neben der technischen Machbarkeit auch die Wirtschaftlichkeit des Prozesses.

Welche Substrate und Proben können implantiert werden?

Neben Wafern bis 200 mm können wir auch Laborproben, Einzelchips und Bauteile mit Sondergeometrien bearbeiten. Ob Ihr Substrat für die gewünschte Implantation geeignet ist, prüfen wir anhand von Material, Abmessungen und den erforderlichen Prozessparametern.

Bieten Sie Annealing an?

Annealing ist nicht Teil unseres Dienstleistungsangebotes.

Ihr Ansprechpartner

Sie haben eine konkrete Ionenimplantationsanforderung oder möchten die Möglichkeiten für Ihre Anwendung prüfen? Sprechen Sie mit uns – gemeinsam finden wir den passenden Prozess.

Dr. Roman Böttger

Chief Operating Officer

+49 351 260 2873

Oder schreiben Sie eine E-Mail an unser Sales-Team:

sales@hzdri.de

Proven Processes. Reliable Results.

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