Wir freuen uns auf die Zusammenarbeit und beraten Sie gern.
Die HZDR Innovation GmbH bietet Hochenergie-Ionenimplantation im MeV-Bereich für Anwendungen, bei denen tiefe Implantationsprofile, definierte Dotierprofile oder gezielte Defektprofile erforderlich sind. Mit einer großen Auswahl an Ionensorten – von Wasserstoff und Helium bis zu Bor, Phosphor, Arsen und weiteren Elementen – realisieren wir kundenspezifische Implantationsprozesse für Halbleiter, Forschung und industrielle Anwendungen.
Unsere MeV-Ionenimplantation eignet sich insbesondere für Leistungshalbleiter und Hochspannungsbauelemente, bei denen präzise eingestellte Implantationstiefen und reproduzierbare Prozesse entscheidend sind. Ionensorte, Energie, Fluenz und weitere Prozessparameter werden entsprechend Ihrer Anwendung und den technischen Anforderungen abgestimmt.
| Parameter | Angabe |
|---|---|
| Typische Ionensorten | B, P, As, C, N, H, He und weitere Ionen nach technischer Prüfung |
| Typische Fluenz | Ca. 1E10 cm-2 bis einige E13 cm-2 |
| Probenformate | Wafer bis 200 mm, Laborproben, Sondergeometrien nach Prüfung |
| Temperatur | Maximal zulässige Prozesstemperatur als Pflichtangabe, keine aktive Kühlung/Heizung |
| Prozesscharakter | Einzelwafer-/Einzelprobenprozess, manuelles Kassettenhandling |
| Tilt | Standard 0°/7°, an den meisten Anlagen stufenlos einstellbar |
Dresden (Deutschland) | Hauptsitz | seit 2011
Trnava (Slowakei) | Niederlassung | seit 2021
Wir bieten MeV-Ionenimplantation mit verschiedenen Ionensorten an, darunter Bor, Phosphor, Arsen, Kohlenstoff, Stickstoff, Wasserstoff, Helium und weitere Ionen nach technischer Prüfung.
Eine MeV-Ionenimplantation eignet sich insbesondere dann, wenn Ionen gezielt in tiefere Bereiche eines Materials eingebracht werden sollen. Die hohen Ionenenergien ermöglichen tiefere Implantationsprofile zur gezielten Einstellung von Dotier- oder Defektprofilen. Die geeignete Energie und Ionensorte werden entsprechend der gewünschten Anwendung und Zieltiefe ausgewählt.
Bei MeV-Ionenimplantationen liegen typische Fluenzen bei etwa 1E10 cm-2 bis einige E13 cm-2. Bei Standard-Ionenimplantationen liegen typische Fluenzen bei etwa 1E10 cm-2 bis etwa 1E16 cm-2. Höhere Bereiche müssen technisch und wirtschaftlich im Einzelfall geprüft werden.
Typische Ionensorten sind H, He, B, P, N, C, Al, Mg, Ar, Xe, Kr, As, Te, Er und viele weitere Elemente aus dem Periodensystem nach technischer Prüfung.
Für eine optimale Prozessplanung berücksichtigen wir die maximal zulässige Prozesstemperatur Ihrer Probe bereits bei der Machbarkeitsprüfung. Bitte geben Sie diese daher bei Ihrer Anfrage an. Die Bestrahlung erfolgt ohne aktive Kühlung oder Heizung.
Sie haben eine konkrete Ionenimplantationsanforderung oder möchten die Möglichkeiten für Ihre Anwendung prüfen? Sprechen Sie mit uns – gemeinsam finden wir den passenden Prozess.
Dr. Roman Böttger
Chief Operating Officer
Oder schreiben Sie eine E-Mail an unser Sales-Team:
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