Reinraum

Die HZDR Innovation verfügt über ein Reinraumlabor mit insgesamt 320 m2 Fläche für die Herstellung von Halbleiterproben, Dünnschichtsystemen sowie Bauelemente-Teststrukturen für die Ionenstrahl- und Materialforschung sowie für die Kleinserienproduktion von Sensoren und Detektoren.

Die HZDR Innovation führt Halbleiter-Präparationsprozesse für Silizium und andere Halbleitermaterialien wie GaAs, SiC und Diamant durch. Die Aktivitäten beinhalten die Wafer-Prozessierung vor und nach Ionenbestrahlung (Ionenimplantation), die Herstellung von Teststrukturen und Bauelementen für verschiedenste analytische und elektrische Untersuchungen sowie Halbleiterprozess- und Bauelementeentwicklungen für industrielle Kunden.

  • 118 m2 der Reinraumklasse 500.000 mit den Messplätzen und Testeinrichtungen
  • 136 m2 der Reinraumklasse 100.000 mit den Servicebereichen
  • 35 m2 der Reinraumklasse 1.000
  • 35 m2 Arbeitsflächen mit der Reinraumklasse 100

Naßchemische Prozesse (Standardprozesse) Fotolithografie Oxidation, Diffusion, Temperung Physikalische Dünnschicht-Abscheidung & reaktives Ionen-Ätzen Nasschemisches Ätzen (Spezialprozesse)