HE-Ionenimplantation

Hochenergie-Ionenimplantation

Mit der Nutzung moderner MeV-Ionenbeschleuniger durch die HZDR Innovation werden die Voraussetzungen für erweiterte und neue multidisziplinäre Anwendungen von Ionentechnologien in diesem Energiebereich geschaffen.

Entsprechende Marktfelder sind:

  • Optimierung von Leistungshalbleitern: Die Eigenschaften von Leistungshalbleitern werden gezielt durch Hochenergie-Ionenimplantation eingestellt und verbessert.
  • Hochenergie-Dotierung von Halbleitern: Durch Hochenergie-Ionenimplantation können das Signal/Rausch-Verhältnis und die spektrale Justierbarkeit von Dioden verbessert werden sowie neue MOSFET-Transistor-Konzepte realisiert werden.
  • Ionenenergie und Reichweite der Ionen für HE-Implantation