Elektrische Feldoptimierung

Feldverteilung nach Maß

Hochenergie-Ionenimplantation von dotierenden Elementen (B,P)

für die elektrische Feldanpassung von Fotodioden, MOS-Transistoren etc.

Vorteile:

  • Verbesserung des Signal/Rausch-Verhältnisses
  • Einstellung der spektralen Empfindlichkeit von Fotodioden
  • Neue MOS-Transistor-Konzepte
  • Neue Strahlungsdetektoren
  • Maßgeschneiderter Feldstärkeverlauf durch HE-Ionenimplantation von dotierenden Elementen
  • Vergleich der HE-Implantationsarten "Electric Field Tailoring" und "Lifetime Engineering"