Ionenstrahl-Service

Ionenimplantation

Die HZDR Innovation nutzt drei Ionenimplanter mit 500 kV, 200 kV und 40 kV maximaler Beschleunigerspannung und Anlagen zur Plasma-Immersions-Ionenimplantation.

Hochenergie-Ionenimplantation

Die HZDR Innovation nutzt drei elektrostatische Beschleuniger mit 2 MV, 3 MV und 6 MV maximaler Terminalspannung.

  • Ionenenergie und Reichweite der Ionen für HE-Implantation

Typische Anwendungsgebiete der Hochenergie-Ionenimplantation sind

  • Implantation leichter Ionen (H, He) in Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik (Leistungsdioden, Thyristoren, IGBTs oder Power- MOSFETs) zur Verbesserung des Schaltverhaltens und zur signifikanten Verringerung der Verlustleistung (lifetime engineering)
  • Implantation dotierender Elemente (H, B, P, As etc.) zur tiefen Dotierung von cMOS-Bauelementen oder zur Beeinflussung der Feldstärkeverteilung in Photodioden, Teilchendetektoren oder Hochspannungs-Bauelementen (electric field tailoring)

Die HZDR Innovation stellt darüber hinaus die Ionenimplantation an beliebigen Materialien zur Modifizierung oberflächensensitiver Eigenschaften, insbesondere Härte, Reibung, Verschleiß, Ermüdung, Haftfestigkeit, Korrosion von Metallen und anderen Werkstoffen, für Synthese und Nanostrukturierung zur Verfügung.